站内公告:
联系我们CONTACT
2024-12-29点击量:542
本文摘要:对于晶能光电(江西)有限公司副总裁付羿来说,回国就像拔除了心里的一根螫。对于晶能光电(江西)有限公司副总裁付羿来说,回国就像拔除了心里的一根螫。虽然在国外生活平稳舒适度,但他不讨厌那样打零工的日子,于是他决意回国。 大学毕业与LED技术结缘出国深造 先后申请人2项外国专利,公开发表了30余篇论文报告。
1998年,付羿从清华大学材料科学与工程专业毕业后,转入中国科学院半导体研究所,专攻微电子学与液体电子学专业,在这里开始了他与LED技术的不解之缘。我的硕士生导师是国内第一个把氮化镓LED从实验室转化成生产的人,在他的影响下我首度认识LED技术,从那以后就仍然专门从事这方面的研究。付羿说道。
命运早就决定,你只必须作好自己。这句话用在付羿身上再行适合不过。在中科院半导体研究所的四年,付羿找到LED技术有相当大的研究和发展空间。然而,当时国内LED技术研究还很脆弱,付羿自由选择出国深造,2007年获得美国弗吉尼亚联邦大学电子工程博士学位。
技术研发无法意味着逗留在学校实验室,还要在实践中发展。付羿说道。
博士毕业后的7年间,付羿先后重新加入美国Xepix公司、美国普瑞公司和东芝美国电子元件公司,历任技术团队成员和高级外延研究员,长年负责管理8英寸硅衬底GaN基LED的外延研发和量产引入,展开了大量开创性的技术升级和工艺改进,使得大尺寸硅衬底路线在生产上几乎成熟期。 天道酬勤,代价总有报酬。在国外多年的深造与实践中,付羿先后申请人2项外国专利,公开发表了30余篇论文报告,并享有2个书本章节。
目前,8英寸硅衬底LED的光效及生产良率和高性能蓝宝石基LED早已持平,为未来的LED生产相容硅半导体工艺,朝向超大规模、自动化和低成本的生产模式演化奠定了坚实基础。在8英寸硅衬底AlGaN/GaN高速电源器件的外延结构和外延质量优化方面有独创性突破,不仅推展了8英寸硅衬底AlGaN/GaN高速电源器件的耐压、漏电、电流坍塌等参数的大幅度提高,并且使8英寸硅衬底上的高速电源器件参数一致性获得根本性的解决问题。
本文来源:NG南宫娱乐-www.liuxos.com
ink